美商內存廠美光科技于 3netflixav0 日公佈，環球首款采用 176 層堆疊的 NAND Flash 通用閃存貯存 UFS 3.1 舉措處理計劃已正式量產出貨。透過較前幾代快 75% 的循序寫入和隨機讀取機能，專為高階和旗艦級手機打造的美光 UFS 3.1 自力舉措通用閃存將能徹底開釋 5G 的潛力，經測試，能在短短 9.6 秒內完成一部 2 小時的 4K 片子下載。
美光指出，新推出的 176 層堆疊 熊熊吹簫NAND Flash 計劃精緻，能知足舉措裝配對高容量、小尺寸處理計劃的需求。此次宣布前，美光采用 176 層堆疊的 NAND Flash PCIe Gen4 固態硬盤已于 6 月量產供貨，為專業任務站和超薄筆電供應高機能、計劃彈性和低功耗等上風。往常進一步利用于智妙手機上，美光搶先業界的先輩 NAND Flpuiyi外流ash 技巧和機能將可透過跨利用法式的多工處置，為應用者完成更即時的舉措體驗。
美光舉措奇蹟部資深副總裁暨總司理 Raj Talluri 透露表現，5G 為舉措裝配供應數千兆位元的速率，個中，高機能硬件基本對于驅動光速般的舉措裝配體驗而言相當緊張。借由不相上下的機能，美光衝破性的 176 層 NAND Flash 技巧能在彈指之間為消耗者帶來豐碩的多媒體內容。
美光誇大，新的 176 層堆疊 NAND Flash UFS 3.1 處理計劃供應較前幾代快 75% 的循序寫入速率和快 70% 的隨機讀取速率，可明顯提拔利用法式機能。并且具有高達 1,500 MB/s 的循序寫入機能，經測試可以或許增援在 0.7 秒內下載 10 分鐘的 4K（2,160 像素）YouTube 串流影片，或在 9.6 秒內下載 2 小時的 4K 片子。
而與前一代比擬，美光的 176 層堆疊 NAND Flash UFS 3.1 處理計劃及其良好的辦事品格可改良約 10% 的耽誤，供應更疾速的反響時候與更靠得住的舉措體驗。此外，與前代產物比擬，美光 176 層舉措處理計劃供應兩倍的寫入總位元數，這代表在不下降裝配靠得住性的環境下，可以貯存兩倍的材料量，即便面臨重度應用者，也能夠延伸智妙手機的應用壽命。現在，美光 176 層堆疊 NAND Flash UFS 3.1 處理計劃自力舉措通用閃存現已上市，有絕色公主的後宮遊戲 英文 3 種分歧的容量設置：128GB、256GB 和 512GB。
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男女性交
2021-07-31 11:58:00