跟著市場競爭加重，半導體競爭從產物、技巧，延長到資源付出。依據市場查詢拜訪機構 IC Insights 最新查詢拜訪呈報表現，2017 年環球半導體家當資源付出將達 908 億美元（約新台幣 2.74 兆元），較 2016 年景長 35% 。個中，韓國半導體年夜廠三星的資源付出翻倍生長，由 2016體驗 金 500 年 113 億美元（約新台幣 3,403 億元），生長至 2017 年的 260 億美元（約新台幣 7,834 億元），為英特爾及台積電整年資源付出的總和。 呈報透露表現，三星 2017 年的資源付出達 260 億美元，不只金額之高史無前例，年景長幅度也是從未見過的新高。IC Insights 估計，三星在 2017 年第 4 季將有 86 億美元的資源付出，約占全部半導體家當當季資源付出 262 億美元的 33%。三星 2017 年第 4 季的販賣金額，約等于環球半導體家當販賣金額的 16%。 至于，三星的 260 億美元資源付出會怎樣分派？IC Insights 透露表現，3D NAND Flash 方面，將消費 140 四支刀玩法億美元在平澤（Pyeongtaek）工場的產能擴展規劃。別的 70 億美元會用在 DRAM 制程轉移，和彌補制程轉移喪失的容量斲喪。晶圓代工部門，將消費 50 億美元用于提拔 10 奈米制程本領。 對三星擴展資源付出，IC Insights 透露表現，將對環球半導體家當形成影響，首當其沖的，就是 3D NAND Flash 家當。IC Insigh星城娛樂城ts 說明，將來 3D NAND Flash 能夠因三星擴產形成產量多餘，不外并非三星一雄厚 娛樂 城家公司形成，而是三星帶給其他 SK 海力士、美光、東芝、英特爾等公司的壓力，在某些分外範疇的資源付出娛樂城 送100增長，以提拔產能。 IC Insights 也指出，三星如許的資源付出範圍，足以制止任何中國在 DRAM 及 3D NAND Flash 等產物新創公司進入市場的盼望。尤個中國相干新創公司技巧沒法與三星、SK 海力士、美光等公司競爭，假如沒有一家年夜型相干合夥企業湧現，則中國廠商難以與這些搶先者反抗。 （首圖起源：三星）
2019-03-21 19:30:00